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Artikelnummer | GA50JT12-247 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7209pF @ 800V |
Vgs (Max) | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 583W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247AB |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: TRANS SJT 600V 100A
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: TRANS SJT 1.2KV 50A
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: TRANS SJT 1.7KV 100A
Auf Lager: 0
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
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