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| Artikelnummer | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FRAM |
| Technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 150ns |
| Zugriffszeit | 150ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc.
Beschreibung: IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
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Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc.
Beschreibung: IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP
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Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc.
Beschreibung: IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
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Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc.
Beschreibung: IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP
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Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc.
Beschreibung: IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
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Hersteller: Fujitsu Electronics America, Inc.
Beschreibung: IC FRAM 256KBIT PAR 28SOP
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