Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln HGTP2N120CN

Fairchild/ON Semiconductor HGTP2N120CN

Artikelnummer
HGTP2N120CN
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Fairchild / ON Semiconductor

Fairchild / ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer HGTP2N120CN
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 13A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 20A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Leistung max 104W
Energie wechseln 96µJ (on), 355µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 25ns/205ns
Testbedingung 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB
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