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| Artikelnummer | FSB660 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 200mA, 2A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| Leistung max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | 75MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-SSOT |
Hersteller: Vishay Huntington Electric Inc.
Beschreibung: RES 100 OHM 7W 5% WW RAD
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Hersteller: Vishay Huntington Electric Inc.
Beschreibung: RES 10 OHM 7W 5% WW RAD
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Hersteller: Vishay Huntington Electric Inc.
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Hersteller: Vishay Huntington Electric Inc.
Beschreibung: RES 1.0 OHM 7W 5% WW RAD
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Hersteller: Vishay Huntington Electric Inc.
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Hersteller: Vishay Huntington Electric Inc.
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Hersteller: Vishay Huntington Electric Inc.
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