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| Artikelnummer | FQI4N80TU |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
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