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| Artikelnummer | FQB9N50CTM |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 135W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Auf Lager: 800
