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| Artikelnummer | FDT86102LZ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223-4 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
Auf Lager: 8000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
Auf Lager: 20000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
Auf Lager: 0
