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| Artikelnummer | FDMS8560S |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 70A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 13V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
Auf Lager: 0
Hersteller: IXYS
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
Auf Lager: 0
