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| Artikelnummer | FDME820NZT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Paket / Fall | 6-PowerUFDFN |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
Auf Lager: 5000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
Auf Lager: 20000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
Auf Lager: 10000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
Auf Lager: 5000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
Auf Lager: 5000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Auf Lager: 0
