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| Artikelnummer | FDFMA3N109 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-MicroFET (2x2) |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
Auf Lager: 45000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
Auf Lager: 36000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
Auf Lager: 9000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
Auf Lager: 18000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
Auf Lager: 0
