Artikelnummer | BF494 |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 20V |
Frequenz - Übergang | - |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 350mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 67 @ 1mA, 10V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 30mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143
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