Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ZXTDC3M832TA

Diodes Incorporated ZXTDC3M832TA

Artikelnummer
ZXTDC3M832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer ZXTDC3M832TA
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A, 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 165MHz, 190MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2)
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