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| Artikelnummer | ZXMP3F35N8TA |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 77.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.56W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 12A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 3A DPAK
Auf Lager: 10000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V SOT223
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
Auf Lager: 27000
