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| Artikelnummer | ZXMN6A09DN8TA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 40V |
| Leistung max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
Auf Lager: 55000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Auf Lager: 42000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
Auf Lager: 17500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
Auf Lager: 0
