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| Artikelnummer | ZXMD65P02N8TC |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 15V |
| Leistung max | 1.75W |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
Auf Lager: 1000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
Auf Lager: 1000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
Auf Lager: 1000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP
Auf Lager: 7000
