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| Artikelnummer | ZXMD63P03XTC |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Leistung max | 1.04W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-MSOP |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
Auf Lager: 1000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
Auf Lager: 1000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
Auf Lager: 1000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP
Auf Lager: 7000
