Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln ZTX855

Diodes Incorporated ZTX855

Artikelnummer
ZTX855
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 150V 4A E-LINE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Gesamt:0.56500/pcsUnit Price:
0.56500/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerZTX855
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)150V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic260mV @ 400mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
Leistung max1.2W
Frequenz - Übergang90MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallE-Line-3
LieferantengerätepaketE-Line (TO-92 compatible)
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