Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF FMMTH10TC

Diodes Incorporated FMMTH10TC

Artikelnummer
FMMTH10TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
ArtikelnummerFMMTH10TC
TeilstatusObsolete
Transistor-TypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 500MHz
Gewinnen-
Leistung max330mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)25mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3
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