Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays DSS5160FDB-7

Diodes Incorporated DSS5160FDB-7

Artikelnummer
DSS5160FDB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Gesamt:0.11722/pcs Unit Price:
0.11722/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer DSS5160FDB-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 50mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Leistung max 405mW
Frequenz - Übergang 65MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type B)
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