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| Artikelnummer | DMP3085LSD-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.9A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 563pF @ 25V |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
Auf Lager: 2000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Auf Lager: 2000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P CH 30V 17A TO252
Auf Lager: 45000
