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| Artikelnummer | DMP3050LVT-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.8W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
Auf Lager: 2000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Auf Lager: 2000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P CH 30V 17A TO252
Auf Lager: 45000
