Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays DMN5L06DW-7

Diodes Incorporated DMN5L06DW-7

Artikelnummer
DMN5L06DW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
ArtikelnummerDMN5L06DW-7
TeilstatusObsolete
FET Typ2 N-Channel (Dual)
FET-EigenschaftLogic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C280mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs3 Ohm @ 200mA, 2.7V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung max200mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363
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