Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMN3023L-7

Diodes Incorporated DMN3023L-7

Artikelnummer
DMN3023L-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
ArtikelnummerDMN3023L-7
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs18.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds873pF @ 15V
Vgs (Max)±20V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)900mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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