Artikelnummer | DDTC123EE-7-F |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 2.2k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-523 |
Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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Hersteller: Diodes Incorporated
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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