Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung DDC123JU-7-F

Diodes Incorporated DDC123JU-7-F

Artikelnummer
DDC123JU-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.03960/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer DDC123JU-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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