Artikelnummer | DDA114TH-7 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
Auf Lager: 30000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
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Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
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Hersteller: Diodes Incorporated
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
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