Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung DCX114EU-13R-F

Diodes Incorporated DCX114EU-13R-F

Artikelnummer
DCX114EU-13R-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DCX114EU-13R-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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