Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln BST52TA

Diodes Incorporated BST52TA

Artikelnummer
BST52TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-89
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Gesamt:0.07920/pcsUnit Price:
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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerBST52TA
TeilstatusActive
Transistor-TypNPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)80V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.3V @ 500µA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 150mA, 10V
Leistung max1W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3
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