Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2DB1119S-13

Diodes Incorporated 2DB1119S-13

Artikelnummer
2DB1119S-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer2DB1119S-13
TeilstatusActive
Transistor-TypPNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)25V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 50mA, 2V
Leistung max1W
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3
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