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| Artikelnummer | CY7S1041G30-10BVXI |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.2 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 48-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Auf Lager: 110
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: ASYNC SRAMS
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MB 10NS 44BGA
Auf Lager: 455
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: ASYNC SRAMS
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA
Auf Lager: 60
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: ASYNC SRAMS
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MB 10NS 44TSOPII
Auf Lager: 110
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: ASYNC SRAMS
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA
Auf Lager: 415
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: ASYNC SRAMS
Auf Lager: 0
