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| Artikelnummer | CZDM1003N TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 25V |
| Vgs (Max) | 20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
Auf Lager: 2000
