Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF NE856M02-AZ

CEL NE856M02-AZ

Artikelnummer
NE856M02-AZ
Hersteller
CEL
Beschreibung
RF TRANSISTOR NPN SOT-89
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

cel is a stable provider of rf & optoelectronic components and rf modules.

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Produktparameter
ArtikelnummerNE856M02-AZ
TeilstatusObsolete
Transistor-TypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)12V
Frequenz - Übergang6.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Gewinnen12dB
Leistung max1.2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89
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