Artikelnummer | AOD3C60 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 648pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 89W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1A, 10V |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A TO252
Auf Lager: 0
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH TO252
Auf Lager: 0
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A TO252
Auf Lager: 0