| Artikelnummer | ALD110808APCL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 10.6V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 810mV @ 1µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Leistung max | 500mW |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 16-PDIP |
Hersteller: Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
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