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| Número da peça | SI5511DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Power - Max | 3.1W, 2.6W |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 1206-8 ChipFET™ |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Em estoque: 6000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Em estoque: 0
