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| Número da peça | 1N4150W-HE3-08 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 50V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 200mA |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1V @ 200mA |
| Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 4ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacitance @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOD-123 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SOD-123 |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Em estoque: 75
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Em estoque: 25073
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Em estoque: 20000
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Em estoque: 0
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Em estoque: 0
