Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R,LF

Número da peça: SSM3K318R,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto

Número da peça	SSM3K318R,LF
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	107 mOhm @ 2A, 10V
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores	SOT-23F
Pacote / Caso	SOT-23-3 Flat Leads