Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF 2SC5095-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-O(TE85L,F)

Número da peça
2SC5095-O(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANSISTOR NPN MM-USM
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça 2SC5095-O(TE85L,F)
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 10V
Frequência - Transição 10GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz
Ganho 13dB ~ 7dB
Power - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 15mA
Temperatura de operação 125°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-70, SOT-323
Pacote de dispositivos de fornecedores SC-70
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANSISTOR NPN MM-USM

Em estoque: 6000

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2SC5095-R(TE85L,F)

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANSISTOR NPN MM-USM

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