Número da peça | SID1152K |
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Status da Parte | Active |
Tecnologia | Magnetic Coupling |
Número de canais | 1 |
Isolamento de tensão | 5000Vrms |
Imunidade transitória de modo comum (Min) | - |
Atraso de propagação tpLH / tpHL (Máx.) | 340ns, 330ns |
Distorção de Largura de Pulso (Máx.) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 225ns, 225ns (Max) |
Corrente - Saída alta, baixa | 2.4A, 2.6A |
Corrente - Saída máxima | 5A |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Typ) | - |
Corrente - DC Forward (If) (Max) | - |
Tensão - Fornecimento | 4.75 V ~ 5.25 V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width) 15 Leads |
Pacote de dispositivos de fornecedores | eSOP-R16B |
Aprovações | - |
Fabricante: Power Integrations
Descrição: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Em estoque: 0
Fabricante: Power Integrations
Descrição: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Em estoque: 0
Fabricante: Power Integrations
Descrição: OPTOISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
Em estoque: 0