Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF 2SC5415AF-TD-E

ON Semiconductor 2SC5415AF-TD-E

Número da peça
2SC5415AF-TD-E
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça 2SC5415AF-TD-E
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 12V
Frequência - Transição 6.7GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Ganho 9dB
Power - Max 800mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-243AA
Pacote de dispositivos de fornecedores PCP
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