Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single BUK9E3R7-60E,127

NXP USA Inc. BUK9E3R7-60E,127

Número da peça
BUK9E3R7-60E,127
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça BUK9E3R7-60E,127
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13490pF @ 25V
Vgs (Max) ±10V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores I2PAK
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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