Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single BUK961R5-30E,118

NXP USA Inc. BUK961R5-30E,118

Número da peça
BUK961R5-30E,118
Fabricante
NXP USA Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Parâmetro do produto
Número da peça BUK961R5-30E,118
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93.4nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14500pF @ 25V
Vgs (Max) ±10V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores D2PAK
Pacote / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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