Número da peça | MBR30100CTE3/TU |
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Status da Parte | Active |
Configuração do diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 100V |
Corrente - Média Rectificada (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 800mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | - |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura de operação - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-220-3 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220AB |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
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Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER
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