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| Número da peça | JANTXV1N4995 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Voltagem - Zener (Nom) (Vz) | 360V |
| Tolerância | ±5% |
| Power - Max | 5W |
| Impedância (Máx.) (Zzt) | 1400 Ohm |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 2µA @ 274V |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.5V @ 1A |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | E, Axial |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | E, Axial |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4
