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| Número da peça | JAN2N3810 |
|---|---|
| Status da Parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-78-6 Metal Can |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-78-6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
