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| Número da peça | JAN2N3767 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 25W |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-213AA, TO-66-2 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-66 (TO-213AA) |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
