Número da peça | APTM10SKM05TG |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 278A |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 700nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 780W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 125A, 10V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | SP4 |
Pacote / Caso | SP4 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 46
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
Em estoque: 0