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| Número da peça | APTM100DA18TG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 43A |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 372nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 780W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 21.5A, 10V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SP4 |
| Pacote / Caso | SP4 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Em estoque: 46
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
Em estoque: 0
