Número da peça | APT60M75JLL |
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Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 58A |
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8930pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 595W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 29A, 10V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Pacote / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Em estoque: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Em estoque: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Em estoque: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Em estoque: 25
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Em estoque: 375
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Em estoque: 0