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| Número da peça | IXTH10P50 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 5A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247 (IXTH) |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
Fabricante: IXYS
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: IXYS
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: IXYS
Descrição: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
Em estoque: 550
Fabricante: IXYS
Descrição: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Em estoque: 107
